國營事業

101-102年度  電子學 課程綱要

第一章  半導體與PN接面

1-1原子與能帶觀念

   1-1-1 原子概念

   1-1-2波耳單原子行星模型

   1-1-3 價電子

   1-1-4 離子化

   1-1-5 共價鍵

   1-1-6能階語能帶

1-2 半導體材料

   1-2-1 能隙差異語導電性

   1-2-2 半導體導電原理

   1-2-3 電子流與電洞流

   1-2-4 半導體電流種類

   1-2-4.1 半導體內總電流與內建電場

   1-2-5 本質半導體

   1-2-6 雜質半導體(外質半導體)

      1-2-6.1 N型半導體

      1-2-6.2 P型半導體

   1-2-7 本質、雜質半導體與溫度影響

1-3 P-N Junction

   1-3-1開路時的P-N Junction

   1-3-2 逆偏時的P-N Junction

   1-3-3 順偏時的P-N Junction

第二章 Diode

2-1 二極體端點特性

   2-1-1 二極體端電壓與電流特性

   2-1-2 順偏特性

   2-1-3 逆偏特性

   2-1-4 崩潰特性

2-2 二極體電路分析與模型

   2-2-1 精確解(圖形解)

   2-2-2 理想模型

   2-2-3 定電壓降模型

   2-2-4 片段線性模型

   2-2-5 二極體-電阻電路

2-3 二極體應用電路

   2-3-1 整流(Rectifier)電路

   2-3-1.1 半波整流

   2-3-1.2 全波整流

   2-3-2 濾波(Filter)電路

   2-3-2.1 峰值檢波器

   2-3-2.2 半波濾波 

   2-3-2.3 全波濾波

   2-3-3 限壓(Limiting)電路

   2-3-4 箝位(Clamping)電路

   2-3-5倍壓(Voltaga Double)電路

2-4 二極體小訊號分析

2-5 二極體暫態切換

2-6齊納二極體穩壓電路

2-7 特殊二極體

第三章 BJT(Bipolar Junction Transistor)

3-1 元件構造與物理操作

   3-1-1 npn電晶體元件構造與符號

   3-1-2 pnp電晶體元件構造與符號

   3-1-3 操作模式與工作區域特性

      3-1-3.1 截止區分析(無電流)

      3-1-3.2 主動區分析(有電流，電流成比例)

      3-1-3.3 飽和區分析(有電流，電流無比利)

3-2 電流-電壓特性

   3-2-1 npn電晶體的ic-vbe特性曲線

   3-2-2 npn電晶體的ic-vce特性曲線

   3-2-3 Early Effect(爾利效應)

3-3 訊號放大器與開關應用

   3-3-1 開關應用(數位)

   3-3-2 訊號放大器(類比)

3-4 BJT放大器直流分析

   3-4-1 固定偏壓

   3-4-2 分壓式偏壓

   3-4-3 集極回授偏壓

   3-4-4 電流源偏壓

3-5 電子學四種基本放大器

   3-5-1 電壓放大器

   3-5-2 電流放大器

   3-5-3 輔導放大器

   3-5-4 轉阻放大器

3-6 BJT 放大器小訊號(交流)分析

   3-6-1 電子學電路全解=直流解+小訊號解

   3-6-2 BJT小訊號参數與模型

      3-6-2.1 BJT小訊號3兄弟

      3-6-2.2 Early Effect小訊號電阻

      3-6-2.3 h参數與BJT小訊號等效電路

   3-6-3 電流狂噴法

   3-6-4 CE(共射極)放大器

   3-6-5 CB(共基極)放大器

   3-6-6 CC(共集極)放大器

   3-6-7 BJT三種放大器特性比較

第四章 FET

4-1 FET種類

4-2增強型-MOSFET

   4-2-1 E-NMOS 結構與操作原理

      4-2-1.1 通道形成與電流形成

     4-2-1.2 特性曲線與各區特性分析

   4-2-2 E-PMOS結構與操作原理

     4-2-2.1通道形成與電流形成

     4-2-2.2特性曲線與各區特性分析

   4-2-3 FET半導體高階效應

     4-2-3.1 通道長度調變

     4-2-3.2 本體效應與CMOS製造技術

4-3 空乏型-MOSFET

   4-3-1 D_NMOS結構與操作原理

      4-3-1.1通道控制與電流形成

      4-3-1.2特性曲線與各區特性分析

   4-3-2 D_PMOS結構與操作原理

      4-3-2.1通道控制與電流形成

      4-3-2.2特性曲線與各區特性分析

4-4 JEFT

   4-4-1 JEFT_N結構與操作原理

      4-4-1.1通道形成與電流形成

      4-4-1.2特性曲線與各區特性分析

   4-4-2 JEFT_P結構與操作原理

      4-4-2.1通道形成與電流形成

      4-4-2.2特性曲線與各區特性分析

4-5 功率FET

4-6 FET直流分析

4-7 FET小訊號分析

   4-7-1 FET小訊號参數

   4-7-2 FET小訊號模型

   4-7-3 電流狂噴法

   4-7-4 共源極(CS)放大器

   4-7-5 共閘極(CG)放大器

   4-7-6 共汲極(CD)放大器

4-8 FET與BJT特性比較

4-9 FET量測與其他

第五章 多級放大器

5-1 多級放大器總增益

5-2多級放大器四種耦合方式

5-3 多級放大器分析

   5-3-1 多級放大器的用意

   5-3-2 達靈頓電路

   5-3-3 疊接、串接放大器

第六章 差動放大器

6-1 BJT差動對分析

   6-1-1 大差模分析

   6-1-2 共模分析

   6-1-3 小差模分析

   6-1-4 共模拒斥比(CMRR)

   6-1-5 直流偏差

6-2 FET差動對分析

   6-2-1 大差模分析

   6-2-2 共模分析

   6-2-3 小差模分析

   6-2-4 共模拒斥比(CMRR)

   6-2-5 直流偏差

第七章 積體電路放大器

7-1 積體電路常用主動負載

7-2 BJT電流鏡

   7-2-1 基本型電流鏡

   7-2-2 基極補償電流鏡

   7-2-3 疊接電流鏡

   7-2-4 Wilson電流鏡

   7-2-5 Widlar電流鏡

7-3 FET電流鏡

   7-3-1 基本型電流鏡

   7-3-2 疊接電流鏡

   7-3-3 Wilson電流鏡

   7-3-4 改良型Widlar電流鏡

7-4 BJT積體電路放大器

   7-4-1 主動負載單級放大器

   7-4-2主動負載差動放大器

   7-4-3 直流偏差

7-5 FET積體電路放大器

   7-5-1 主動負載單級放大器

   7-5-2主動負載差動放大器

   7-5-3 直流偏差

第八章 頻率響應

8-1 轉移函數

8-2 波德圖

8-3 單一時間常數電路

8-4 單級放大器低頻響應

   8-4-1 CE and CS低頻響應

   8-4-2 CC and CD低頻響應

   8-4-3 CB and CG低頻響應

8-5 單級放大器高頻響應

   8-5-1 CE and CS低頻響應

   8-5-2 CC and CD低頻響應

   8-5-3 CB and CG低頻響應

8-6 串接、疊接放大器響應

8-7 多級放大器頻響

8-8 四種耦和方式頻響

8-9 差動放大器頻響