高普考(高考)

 

高考電子工程
等級		初任各官等職務人員， 等級起敘			薪資給與
					俸額		專業加給		合計
高考三等/特考三等		敘委任第五職等本俸五級			24,440元		18,910元		43,350元
		敘薦任第六職等本俸一級			25,435元		20,790元		46,225元
	報名人數	全到人數	到考率	需用人數	錄取人數	正額人數	增額人數	錄取標準	錄取率
101年	575	324	56.35	15	23	15	8	68.37	6.74
100年	606	341	56.27	15	23	15	8	67.93	6.74
99年	682	381	55.87	10	14	10	4	70.77	3.67
98年	715	397	55.52	21	31	21	10	58.33	7.81
97年	277	165	59.57	26	32	26	6	50.00	19.39
分發單位		本 職系之職務，係基於電力工程之知能，對發電、輸電、配電、容電、電動、電用、控制設備、機具與器材之修造裝備、電機運轉、電纜架設、電力系統之設計、施工 規劃、安全管理、維護、測繪與檢驗、有關器材裝具之改良管理、電力生產及廠、礦之電力規劃等，從事計畫、研究、擬議、審核、督導及執行等工作。
工作性質		經濟部標準檢驗局/能源局、交通部民用航空局、行政院原子能委員會、國立臺灣史前文化博物館、臺北市立天文科學教育館、各縣市政府、各鄉鎮區公所。
電子工程		投考組合			備註(需多準備的科目)
		地特三等(電子工程)			無
		調查局特考三等 (電子科學組)			通信與系統
		一般警察特考三等(交通警察人員電訊組)			通信與系統
		中華電信專業職(四) 1.工務類第一類專員 (企業網路規劃、運輸設備維護) 2.工務類第一類專員 (網路維運／用戶設備維運) 3.工務類第二類專員(電信網路維護／數據客服專線作業處理)			無
		經濟部所屬事業機構 1.電機(甲) 2.電機(乙)			無
		普考/地特四等(電子工程)			基本電學、電子儀表概要

 

101-102年度 電子學課程綱要

第一章 半導體與PN接面

1-1原子與能帶觀念

   1-1-1 原子概念

   1-1-2波耳單原子行星模型

   1-1-3 價電子

   1-1-4 離子化

   1-1-5 共價鍵

   1-1-6能階語能帶

1-2 半導體材料

   1-2-1 能隙差異語導電性

   1-2-2半導體導電原理

   1-2-3 電子流與電洞流

   1-2-4 半導體電流種類

   1-2-4.1 半導體內總電流與內建電場

   1-2-5 本質半導體

   1-2-6 雜質半導體(外質半導體)

     1-2-6.1 N型半導體

     1-2-6.2 P型半導體

   1-2-7 本質、雜質半導體與溫度影響

1-3 P-N Junction

   1-3-1開路時的P-N Junction

   1-3-2 逆偏時的P-N Junction

   1-3-3 順偏時的P-N Junction

 

第二章 Diode

2-1 二極體端點特性

   2-1-1 二極體端電壓與電流特性

   2-1-2 順偏特性

   2-1-3 逆偏特性

   2-1-4 崩潰特性

2-2 二極體電路分析與模型

   2-2-1精確解(圖形解)

   2-2-2 理想模型

   2-2-3 定電壓降模型

   2-2-4 片段線性模型

   2-2-5 二極體-電阻電路

2-3 二極體應用電路

   2-3-1 整流(Rectifier)電路

   2-3-1.1 半波整流

   2-3-1.2 全波整流

   2-3-2 濾波(Filter)電路

   2-3-2.1 峰值檢波器

   2-3-2.2 半波濾波 

   2-3-2.3 全波濾波

   2-3-3 限壓(Limiting)電路

   2-3-4 箝位(Clamping)電路

   2-3-5倍壓(Voltaga Double)電路

2-4 二極體小訊號分析

2-5 二極體暫態切換

2-6齊納二極體穩壓電路

2-7 特殊二極體

 

第三章 BJT(Bipolar Junction Transistor)

3-1 元件構造與物理操作

   3-1-1 npn電晶體元件構造與符號

   3-1-2 pnp電晶體元件構造與符號

   3-1-3 操作模式與工作區域特性

      3-1-3.1 截止區分析(無電流)

      3-1-3.2 主動區分析(有電流，電流成比例)

      3-1-3.3 飽和區分析(有電流，電流無比利)

3-2 電流-電壓特性

   3-2-1 npn電晶體的ic-vbe特性曲線

   3-2-2 npn電晶體的ic-vce特性曲線

   3-2-3 Early Effect(爾利效應)

3-3 訊號放大器與開關應用

   3-3-1 開關應用(數位)

   3-3-2 訊號放大器(類比)

3-4 BJT放大器直流分析

   3-4-1 固定偏壓

   3-4-2 分壓式偏壓

   3-4-3 集極回授偏壓

   3-4-4 電流源偏壓

3-5 電子學四種基本放大器

   3-5-1 電壓放大器

   3-5-2電流放大器

   3-5-3 輔導放大器

   3-5-4 轉阻放大器

3-6 BJT 放大器小訊號(交流)分析

   3-6-1電子學電路全解=直流解+小訊號解

   3-6-2 BJT小訊號参數與模型

      3-6-2.1 BJT小訊號3兄弟

      3-6-2.2 Early Effect小訊號電阻

      3-6-2.3 h参數與BJT小訊號等效電路

   3-6-3 電流狂噴法

   3-6-4 CE(共射極)放大器

   3-6-5 CB(共基極)放大器

   3-6-6 CC(共集極)放大器

   3-6-7 BJT三種放大器特性比較

 

第四章 FET

4-1 FET種類

4-2增強型-MOSFET

   4-2-1 E-NMOS 結構與操作原理

      4-2-1.1 通道形成與電流形成

     4-2-1.2 特性曲線與各區特性分析

   4-2-2 E-PMOS結構與操作原理

     4-2-2.1通道形成與電流形成

     4-2-2.2特性曲線與各區特性分析

   4-2-3 FET半導體高階效應

     4-2-3.1 通道長度調變

     4-2-3.2 本體效應與CMOS製造技術

4-3 空乏型-MOSFET

   4-3-1 D_NMOS結構與操作原理

      4-3-1.1通道控制與電流形成

      4-3-1.2特性曲線與各區特性分析

   4-3-2 D_PMOS結構與操作原理

      4-3-2.1通道控制與電流形成

      4-3-2.2特性曲線與各區特性分析

4-4 JEFT

   4-4-1 JEFT_N結構與操作原理

      4-4-1.1通道形成與電流形成

      4-4-1.2特性曲線與各區特性分析

   4-4-2 JEFT_P結構與操作原理

      4-4-2.1通道形成與電流形成

      4-4-2.2特性曲線與各區特性分析

4-5 功率FET

4-6 FET直流分析

4-7 FET小訊號分析

   4-7-1 FET小訊號参數

   4-7-2 FET小訊號模型

   4-7-3 電流狂噴法

   4-7-4 共源極(CS)放大器

   4-7-5 共閘極(CG)放大器

   4-7-6共汲極(CD)放大器

4-8 FET與BJT特性比較

4-9 FET量測與其他

 

第五章 多級放大器

5-1 多級放大器總增益

5-2多級放大器四種耦合方式

5-3 多級放大器分析

   5-3-1 多級放大器的用意

   5-3-2 達靈頓電路

   5-3-3疊接、串接放大器

 

第六章 差動放大器

6-1 BJT差動對分析

   6-1-1 大差模分析

   6-1-2 共模分析

   6-1-3 小差模分析

   6-1-4 共模拒斥比(CMRR)

   6-1-5 直流偏差

6-2 FET差動對分析

   6-2-1 大差模分析

   6-2-2 共模分析

   6-2-3 小差模分析

   6-2-4 共模拒斥比(CMRR)

   6-2-5 直流偏差

 

第七章 積體電路放大器

7-1 積體電路常用主動負載

7-2 BJT電流鏡

   7-2-1 基本型電流鏡

   7-2-2 基極補償電流鏡

   7-2-3 疊接電流鏡

   7-2-4 Wilson電流鏡

   7-2-5 Widlar電流鏡

7-3 FET電流鏡

   7-3-1 基本型電流鏡

   7-3-2 疊接電流鏡

   7-3-3 Wilson電流鏡

   7-3-4 改良型Widlar電流鏡

7-4 BJT積體電路放大器

   7-4-1 主動負載單級放大器

   7-4-2主動負載差動放大器

   7-4-3 直流偏差

7-5 FET積體電路放大器

   7-5-1 主動負載單級放大器

   7-5-2主動負載差動放大器

   7-5-3 直流偏差

 

第八章 頻率響應

8-1 轉移函數

8-2 波德圖

8-3 單一時間常數電路

8-4 單級放大器低頻響應

   8-4-1 CE and CS低頻響應

   8-4-2 CC and CD低頻響應

   8-4-3 CB and CG低頻響應

8-5 單級放大器高頻響應

   8-5-1 CE and CS低頻響應

   8-5-2 CC and CD低頻響應

   8-5-3 CB and CG低頻響應

8-6 串接、疊接放大器響應

8-7 多級放大器頻響

8-8 四種耦和方式頻響

8-9 差動放大器頻響

101年計算機概論課程綱要

(1).數字與編碼系統

(2).數位邏輯

(3).程式語言

(4).資料結構-1

(5).資料結構-2

(6).排序與搜尋

(7).資料庫管理-1

(8).資料庫管理-2

(9).作業系統-1

(10).作業系統-2

(11).計算機組織

(12).多媒體系統

(13).網路概論-1

(14).網路概論-2

(15).資訊管理概論

101年半導體工程課程綱要(暫定)

(1).晶體結構
(2).能帶
(3).本職載子濃度
(4).施體與受體
(5).載子漂移與擴散
(6).載子產生與複合
(7).連續方程式
(8).熱離子發射過程 穿隧過程與衝擊游離
(9).pn接面
(10).二極體
(11).金屬-半導體與半導體異質接面
(12).雙極性電晶體原理
(13).金氧半二極體
(14).金氧半場效電晶體
(15).接面場效電晶體
(16).光電元件
(17).發光二極體
(18).半導體雷射
(19).光檢測器
(20).太陽能電池
(21).透納二極體
(22).衝渡二極體
(23).BARITT二極體
(24).轉移電子原件
(25).結晶和磊晶成長
(26).氧化與薄膜沉積
(27).擴散與離子佈植
(28).雕像術與蝕刻
(29).半導體檢測與晶圓測試
(30).半導體封裝

101年電磁學課程綱要(暫定)

(1).向量分析
(2).曲線坐標
(3).庫倫力及電場強度
(4).電通量密度及高斯定律
(5).電能和電位
(6).導體和電介質
(7).電介質
(8).電容
(9).泊松和拉普拉斯方程式
(10).虛位移法與影像法
(11).靜磁場
(12).旋度與斯托克斯定理
(13).磁力 /材料和電感
(14).磁化強度/磁場邊界條件與磁路
(15).電感和互感
(16).時變場和麥克斯韋方程組
(17).均勻平面波
(18).有限傳導的導體與坡印延向量
(19).都卜勒效應/電磁波極化與群速
(20).影像法與例題

101年電磁學高考進階課程綱要(暫定)

(1).平面波傳導在介面處之反射與折射
(2).任意方向的平面波及平面波斜向反射
(3).菲涅耳方程式及色散物質
(4).極化與偏振
(5).電磁波在非均質中行進
(6).傳輸線方程式
(7).傳輸線的阻抗與暫態
(8).史密斯圖
(9).阻抗匹配
(10).金屬波導
(11).介質波導
(12).干射.繞射與輻射
(13).諧振腔
(14).天線
(15).光電與電磁計算